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    MMBT5550 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT5550图片预览
    型号： MMBT5550
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR(NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管IOT
    文件页数/大小： 1 页 / 473 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
       
    MMBT5550
    晶体管（ NPN ）
    特点
    高压晶体管
    标记： M1F
    最大额定值（T
    a
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    结温
    储存温度
    价值
    160
    140
    6
    600
    225
    556
    150
    -55�½�+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    SOT–23
    电气特性（T
    a
    = 25 ℃除非另有规定）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    *
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    h
    FE(3)
    集电极 - 发射极饱和电压
    V
    CE(sat)1
    V
    CE(sat)2
    V
    BE(sat)1
    V
    BE(sat)2
    TEST
    条件
    民
    160
    140
    6
    0.1
    50
    60
    60
    20
    0.15
    0.25
    1
    1.2
    V
    V
    V
    V
    250
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    µA
    nA
    I
    C
    = 0.1毫安，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 0.01毫安，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 100V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =1mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =10mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =50mA
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1mA
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1mA
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA
    基射极饱和电压
    *脉冲测试：脉冲宽度≤300μs ，值班cycle≤ 2.0 ％ 。
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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