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MMBTA94图片预览
型号: MMBTA94
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR(PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管IOT
文件页数/大小: 1 页 / 301 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
   
MMBTA94
晶体管( PNP )
SOT–23
特点
高的击穿电压
标记: 4D
1.基地
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
-400
-400
-5
-100
350
357
150
-55�½�+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
2.辐射源
3.收集
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
h
FE(4)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE ( SAT )
f
T
TEST
条件
-400
-400
-5
-0.1
-5
-0.1
80
70
40
40
-0.2
-0.3
-0.75
50
V
V
V
兆赫
300
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
µA
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -400V ,我
E
=0
V
CE
= -400V ,我
B
=0
V
EB
= -4V ,我
C
=0
V
CE
= -10V ,我
C
=-10mA
V
CE
= -10V ,我
C
=-1mA
V
CE
= -10V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -10V ,我
C
=-50mA
I
C
= -10mA ,我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ,我
B
=-5mA
I
C
= -10mA ,我
B
=-1mA
V
CE
=-20V,I
C
=-10mA,
f=30MHz
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05