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    MMBTA42 参数 Datasheet PDF下载

    MMBTA42图片预览
    型号： MMBTA42
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR(NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器PC
    文件页数/大小： 3 页 / 1024 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号MMBTA42的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTA42的Datasheet PDF文件第3页  
    MMBTA42
    晶体管（ NPN ）
    特点
    高的击穿电压
    低集电极 - 发射极饱和电压
    补充MMBTA92 （ PNP ）
    标记： 1D
    最大额定值（T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    热阻，结到环境
    结温
    储存温度
    SOT-23
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    价值
    300
    300
    5
    0.3
    0.35
    357
    150
    -55to 150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃ / MW
    ℃
    ℃
    电气特性（环境温度Tamb = 25
    ℃
    除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    h
    FE(3)
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    TEST
    条件
    I
    E
    =0
    民
    300
    300
    5
    0.25
    0.1
    60
    100
    60
    0.2
    0.9
    50
    V
    V
    兆赫
    200
    最大
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    I
    C
    = 100μA,
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 100μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 200V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 1毫安
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =10mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =30mA
    I
    C
    = 20mA时，我
    B
    = 2毫安
    I
    C
    = 20mA时，我
    B
    =2mA
    V
    CE
    = 20V ，我
    C
    = 10毫安，
    f
    T
    f=
    30MHz
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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