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    MMBTA28 参数 Datasheet PDF下载

    MMBTA28图片预览
    型号： MMBTA28
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR(NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 360 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
       
    MMBTA28
    晶体管（ NPN ）
    特点
    高电流增益
    标记： 3SS
    SOT–23
    最大额定值（T
    a
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    结温
    储存温度
    价值
    80
    80
    12
    500
    200
    625
    150
    -55�½�+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    电气特性（T
    a
    = 25 ℃除非另有规定）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极电压维持
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    首席执行官
    （ SUS）的
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    CES
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    *
    h
    FE(2)
    *
    V
    CE(sat)1
    *
    V
    CE(sat)2
    *
    V
    BE
    *
    C
    ob
    f
    T
    TEST
    条件
    民
    80
    80
    12
    0.1
    0.5
    0.1
    10
    10
    1.2
    1.5
    2
    8
    125
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    µA
    K
    K
    V
    V
    V
    pF
    兆赫
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 100μA ，V
    BE
    =0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 60V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    =60V, V
    BE
    =0
    V
    EB
    = 10V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =10mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =100mA
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0.01mA
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =0.1mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =100mA
    V
    CB
    = 1V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =10mA,
    f=100MHz
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压
    集电极输出电容
    跃迁频率
    *脉冲测试：脉冲宽度≤300μs ，值班cycle≤ 2.0 ％ 。
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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