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MMBTA14 参数 Datasheet PDF下载

MMBTA14图片预览
型号: MMBTA14
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 640 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
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MMBTA13,14
晶体管( NPN )
特点
达林顿放大器
标记:
MMBTA13 : K2D ; MMBTA14 : K3D
最大额定值(T
A
=25
除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
热阻结到环境
结温
储存温度
价值
30
30
10
0.3
300
417
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
mW
℃/W
SOT-23
单位:mm
1.基地
2.辐射源
3.收集
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
*
I
EBO
*
h
FE(1)
*
直流电流增益
h
FE(2)
*
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE (SAT)
*
V
BE (SAT)
*
V
BE
*
f
T
C
ob
TEST
条件
I
E
=0
30
30
10
0.1
0.1
MMBTA13
MMBTA14
V
CE
= 5V ,我
C
= 100毫安
MMBTA13
MMBTA14
I
C
= 100mA时我
B
=0.1mA
I
C
= 100mA时我
B
=0.1mA
V
CE
=5V,I
C
= 100毫安
V
CE
=5V,
I
C
= 10毫安
5000
10000
10000
20000
1.5
2
2.0
125
12
V
V
V
兆赫
pF
最大
单位
V
V
V
I
C
= 100
μ
A,
I
C
= 100uA的,我
B
=0
I
E
= 100
μ
A,I
C
=0
V
CB
= 30 V,I
E
=0
V
EB
= 10V ,
I
C
=0
μ
A
μ
A
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安
f=
100MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
*脉冲测试:脉冲width≤300μs ,值班cycle≤2 % 。
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05