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    MMBTA05 参数 Datasheet PDF下载

    MMBTA05图片预览
    型号： MMBTA05
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR(NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 993 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号MMBTA05的Datasheet PDF文件第2页  
    MMBTA05
    晶体管（ NPN ）
    SOT-23
    特点
    驱动晶体管
    标记： 1H
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    价值
    60
    60
    4
    0.5
    300
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    ℃
    ℃
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE1
    直流电流增益
    h
    FE2
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射
    电压
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    f
    T
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 100毫安
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =10mA
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 100毫安
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =10mA
    100
    100
    0.25
    1.2
    V
    V
    兆赫
    TEST
    条件
    民
    60
    60
    4
    0.1
    0.1
    0.1
    100
    400
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    C
    = 100
    μ
    A，I
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    =100
    μ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = 60V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = 60V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = 3V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 10毫安
    μ
    A
    μ
    A
    μ
    A
    跃迁频率
    f=
    100MHz
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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