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    MMBZ5252BW 参数 Datasheet PDF下载

    MMBZ5252BW图片预览
    型号： MMBZ5252BW
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅平面齐纳二极管 [SILICON PLANAR ZENER DIODES]
    分类和应用： 二极管齐纳二极管测试局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 384 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号MMBZ5252BW的Datasheet PDF文件第2页  
    MMBZ5221BW~MMBZ5259BW
    硅平面齐纳二极管
    3
    1
    2
    1.阳极3.阴极
    绝对最大额定值（T
    a
    = 25
    O
    C)
    参数
    功耗
    工作结存储温度范围
    符号
    P
    D
    T
    j
    ,T
    S
    价值
    200
    - 65至+ 150
    单位
    mW
    O
    C
    特征
    ( T
    a
    = 25
    O
    C除非另有说明，V
    F
    < 0.9V于我
    F
    = 10 mA）的
    TYPE
    记号
    V
    ZNOM
    CODE
    V
    HA
    HB
    HC
    HD
    HE
    HF
    HH
    HJ
    HK
    HM
    HN
    HP
    HR
    HX
    HY
    HZ
    JA
    JB
    JC
    JD
    JE
    JF
    JH
    JJ
    JK
    JM
    JN
    JP
    JR
    JX
    2.4
    2.7
    3
    3.3
    3.6
    3.9
    4.3
    4.7
    5.1
    5.6
    6.2
    6.8
    7.5
    8.2
    9.1
    10
    11
    12
    13
    15
    16
    18
    20
    22
    24
    27
    30
    33
    36
    39
    齐纳电压范围
    l
    ZT
    mA
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    9.5
    8.5
    7.8
    7
    6.2
    5.6
    5.2
    5
    4.2
    3.8
    3.4
    3.2
    为
    V
    ZT
    V
    2.28…2.52
    2.57…2.84
    2.85…3.15
    3.14…3.47
    3.42…3.78
    3.71…4.1
    4.09…4.52
    4.47…4.94
    4.85…5.36
    5.32…5.88
    5.89…6.51
    6.46…7.14
    7.13…7.88
    7.79…8.61
    8.65…9.56
    9.5…10.5
    10.45…11.55
    11.4…12.6
    12.35…13.65
    14.25…15.75
    15.2…16.8
    17.1…18.9
    19…21
    20.9…23.1
    22.8…25.2
    25.65…28.35
    28.5…31.5
    31.35…34.65
    34.2…37.8
    37.05…40.95
    1)
    动态电阻
    Z
    ZT
    最大。 （ Ω ）
    30
    30
    30
    28
    24
    23
    22
    19
    17
    11
    7
    5
    6
    8
    10
    17
    22
    30
    13
    16
    17
    21
    25
    29
    33
    41
    49
    58
    70
    80
    Z
    ZK
    最大。 （ Ω ）
    1200
    1300
    1600
    1600
    1700
    1900
    2000
    1900
    1600
    1600
    1000
    750
    500
    500
    600
    600
    600
    600
    600
    600
    600
    600
    600
    600
    600
    600
    600
    700
    700
    800
    在我
    ZK
    mA
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    反向漏电流
    I
    R
    MAX 。 （ μA ）
    100
    75
    50
    25
    15
    10
    5
    5
    5
    5
    5
    3
    3
    3
    3
    3
    2
    1
    0.5
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    at
    V
    R
    V
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    2
    2
    3
    4
    5
    6
    6.5
    7
    8
    8.4
    9.1
    9.9
    11
    12
    14
    15
    17
    18
    21
    23
    25
    27
    30
    MMBZ5221BW
    MMBZ5223BW
    MMBZ5225BW
    MMBZ5226BW
    MMBZ5227BW
    MMBZ5228BW
    MMBZ5229BW
    MMBZ5230BW
    MMBZ5231BW
    MMBZ5232BW
    MMBZ5234BW
    MMBZ5235BW
    MMBZ5236BW
    MMBZ5237BW
    MMBZ5239BW
    MMBZ5240BW
    MMBZ5241BW
    MMBZ5242BW
    MMBZ5243BW
    MMBZ5245BW
    MMBZ5246BW
    MMBZ5248BW
    MMBZ5250BW
    MMBZ5251BW
    MMBZ5252BW
    MMBZ5254BW
    MMBZ5256BW
    MMBZ5257BW
    MMBZ5258BW
    MMBZ5259BW
    1)
    测试了脉冲TP = 20毫秒。
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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