PT4410 参数 Datasheet PDF下载

型号：	PT4410
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内容描述：	30 V的N沟道增强型MOSFET [30 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 1556 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

PT4410

30V N沟道增强型MOSFET

= 30V

DS （ ON）

, V

@ 10V ，我

@ 12A = 10.5mΩ

DS （ ON）

, V

@ 4.5V ，我

@ 12A = 15MΩ

特点

先进的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

充分界定雪崩电压和电流

改进直通FOM

包装尺寸

D D D D

8 7 6 5

1 2

S S

3 4

s克

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

5.80

4.80

3.80

0°

0.40

0.19

6.20

5.00

4.00

8°

0.90

0.25

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.10

0.25

0.35

0.49

1.35

1.75

0.375 REF 。

45°

1.27 TYP 。

最大额定值和热特性（ TA = 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

符号

极限

单位

TA = 25

TA = 75

, T

英镑

EAS

2.5

1.2

-55到150

150

最大功率耗散

工作结存储温度范围

雪崩能量单脉冲

结到外壳热阻

结至环境热阻（PCB安装）

C / W

１　

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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