PT4435 参数 Datasheet PDF下载

型号：	PT4435
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内容描述：	30 V P沟道增强型MOSFET [30 V P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 2576 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

PT4435

30V P沟道增强型MOSFET

VDS = -30V

RDS （ ON ）， V GS @ -10V ， Ids@-10.5A = 18MΩ

RDS （ ON ）， Vgs@-4.5V ， Ids@-6.0A = 30mΩ到

特点

先进的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

5.80

4.80

3.80

0°

0.40

0.19

6.20

5.00

4.00

8°

0.90

0.25

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.10

0.25

0.35

0.49

1.35

1.75

0.375 REF 。

45°

1.27 TYP 。

最大额定值和热特性（ TA = 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

符号

极限

单位

TA = 25

TA = 75

, T

英镑

-30

-10.5

-50

2.5

1.2

-55到150

最大功率耗散

工作结存储温度范围

结至环境热阻（PCB安装）

C / W

１　

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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