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PXT2907A图片预览
型号: PXT2907A
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR(PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 269 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
   
PXT2907A
晶体管( PNP )
特点
开关和线性放大
高电流和低电压
补充PXT2222A
标记: P2F
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
-60
-60
-5
-600
500
250
150
-55~+150
SOT-89-3L
1.基地
2.收集
3.辐射源
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
TEST
条件
-60
-60
-5
-0.01
-0.01
75
100
100
100
50
-1.6
-0.4
-2.6
-1.3
12
30
300
65
V
CE
=-10V,I
C
= -20mA , F = 100MHz的
200
V
V
V
V
ns
ns
ns
ns
兆赫
300
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
I
C
=-1mA,I
E
=0
I
C
=-10mA,I
B
=0
I
E
=-1mA,I
C
=0
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
= -10V ,我
C
=-0.1mA
V
CE
= -10V ,我
C
=-1mA
直流电流增益
h
FE
V
CE
= -10V ,我
C
=-10mA
V
CE
= -10V ,我
C
=-150mA
V
CE
= -10V ,我
C
=-500mA
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
t
d
t
r
t
s
t
f
f
T
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
I
C
=-150mA,I
B
=-15mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
I
C
=-150mA,I
B
=-15mA
V
CC
= -30V ,我
C
=-150mA,
I
B1
=- I
B2
=-15mA
基射极饱和电压
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
跃迁频率
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05