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    S8050 参数 Datasheet PDF下载

    S8050图片预览
    型号： S8050
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR(NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 2 页 / 468 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号S8050的Datasheet PDF文件第2页  
    S8 050
    晶体管（ NPN ）
    SOT-23
    特点
    免费为S8550
    集电极电流：I
    C
    =0.5A
    标记： J3Y
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    参数
    价值
    40
    25
    5
    0.5
    0.3
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃
    ℃
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    H
    FE(1)
    直流电流增益
    H
    FE(2)
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    f
    T
    V
    CE
    =1V,
    I
    C
    = 500毫安
    50
    0.6
    1.2
    150
    V
    V
    兆赫
    TEST
    条件
    民
    40
    25
    5
    0.1
    0.1
    0.1
    120
    350
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    C
    = 100
    μ
    A，I
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    =100
    μ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = 40 V，I
    E
    =0
    V
    CB
    =20V ,
    V
    EB
    = 5V ,
    V
    CE
    =1V,
    I
    E
    =0
    I
    C
    =0
    I
    C
    = 50毫安
    μ
    A
    μ
    A
    μ
    A
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    CE
    =6V,
    I
    C
    = 20mA下
    f=
    30MHz
    分类
    秩
    范围
    １　
    金隅
    h
    FE(1)
    L
    120-200
    H
    200-350
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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