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S9012 参数 Datasheet PDF下载

S9012图片预览
型号: S9012
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR(PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 739 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
 浏览型号S9012的Datasheet PDF文件第2页  
S901 2
晶体管( PNP )
特点
为了配合S9013
优秀ħ
FE
线性
标记: 2T1
SOT-23
1.基地
2.辐射源
3.收集
最大额定值(T
A
=25
除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-40
-25
-5
-500
300
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
C
ob
TEST
条件
-40
-25
-5
-0.1
-0.1
-0.1
120
400
-0.6
-1.2
150
5
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
I
C
= -100
μ
A,I
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
=-100
μ
A,I
C
=0
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
CE
= -20V ,我
B
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
= -50mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
V
CE
=-6V,
I
C
= -20mA
μ
A
μ
A
μ
A
f=
30MHz
V
CB
=
-10
V,I
E
=0,f=
1
兆赫
分类h及
FE
范围
1 
金隅
L
120-200
H
200-350
J
300-400
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05