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    S9018 参数 Datasheet PDF下载

    S9018图片预览
    型号： S9018
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 306 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
       
    S9018
    晶体管（ NPN ）
    特点
    AM / FM功放， FM / VHF调谐器本振
    高电流增益带宽乘积F
    T
    = 1.1千兆赫（典型值）
    MARKING：J8
    最大额定值（T
    a
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    SOT-23
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    价值
    30
    15
    5
    50
    200
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    电气特性（T = 25
    a
    ℃
    除非另有规定编）
    TEST
    条件
    民
    30
    15
    5
    0.05
    0.1
    0.1
    70
    190
    0.5
    1.4
    850
    V
    V
    兆赫
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    μ
    A
    μ
    A
    μ
    A
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = 100
    μ
    A，I
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    =100
    μ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = 12V，我
    E
    =0
    V
    CE
    = 12V，我
    B
    =0
    V
    EB
    = 3V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 1毫安
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 1毫安
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 1毫安
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 5毫安
    f
    T
    f=
    400MHz
    分类h及
    FE
    秩
    范围
    L
    70-105
    H
    105-190
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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