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STZ8075 参数 Datasheet PDF下载

STZ8075图片预览
型号: STZ8075
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内容描述: 硅平面齐纳二极管 [Silicon Planar Zener Diodes]
分类和应用: 二极管齐纳二极管
文件页数/大小: 5 页 / 583 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
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STZ8000系列
齐纳电压范围
TYPE
记号
CODE
2N
4Y1
FC
5A1
2P
5C1
FD
5E1
2R
5G1
FE
5J1
2X
5L1
8X
5N1
2Y
5Q1
8Y
5S1
2Z
5U1
FJ
5X1
2
2
2
2
2
5
l
ZT
mA
STZ8240
STZ8240A
STZ8240B
STZ8240C
STZ8270
STZ8270A
STZ8270B
STZ8270C
STZ8300
STZ8300A
STZ8300B
STZ8300C
STZ8330
STZ8330A
STZ8330B
STZ8330C
STZ8360
STZ8360A
STZ8360B
STZ8360C
STZ8390
STZ8390A
STZ8390B
STZ8390C
1)
1)
动态阻抗
Z
ZT
( MAX 。 )
Z
ZK
( MAX 。 )
在我
ZK
mA
反向漏
当前
I
R
μA
( MAX 。 )
在V
R
V
温度。系数
齐纳电压
S
Z
(MV /
O
C)
TYP 。在我
ZT
V
Z
V
22.8…25.6
22.8…23.97
23.5…24.7
24.35…25.6
25.1…28.9
25.3…26.7
26.3…27.7
27.3…28.7
28…32
28.3…29.7
29.3…30.8
30.2…31.8
31…35
31.2…32.8
32.2…33.8
33.2…34.9
34…38
34.1…35.9
35.1…36.9
36.1…37.9
37…41
37.1…39
38…40
39…41
100
120
0.5
0.1
19
20.4
120
120
0.5
0.1
21
23.4
160
160
0.5
0.1
23
26.6
200
200
0.5
0.1
25
29.7
250
250
0.5
0.1
27
33
300
300
0.5
2
30
35.6
V
Z
用脉冲( 20毫秒)进行测试。
300
功耗: P合计(MW )
200
100
0
0
25
100
环境温度: TA( C)
O
150
降额曲线
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05