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UMD3N图片预览
型号: UMD3N
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内容描述: 双数字晶体管( NPN + PNP ) [DUAL DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ PNP)]
分类和应用: 晶体数字晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 295 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
   
UMD3N
双数字晶体管( NPN + PNP )
SOT-363
特点
DTA114E和DTC114E晶体管内置了一个包。
晶体管元件是独立的,从而消除干扰。
安装成本和面积可减少一半。
外部电路
1
标记: D3
绝对最大额定值( TA = 25 ℃ )
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C(最大值)
Pd
Tj
TSTG
范围
50
-10~40
50
100
150(TOTAL)
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
条件
V
CC
= 5V ,我
O
=100µA
V
O
= 0.3V时,我
O
=10mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V, V
I
=0
V
O
=5V,I
O
=5mA
10
1
250
13
1.2
兆赫
V
CE
= 10V ,我
E
=-5mA,f=100MHz
KΩ
电气特性(Ta = 25℃)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
30
7
0.8
3
0.3
0.88
0.5
分钟。
典型值
马克斯。
0.5
单位
V
V
mA
μA
1
金隅
半导体
www.htsemi.com
日期:2011年/ 05