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UMH14N图片预览
型号: UMH14N
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内容描述: 双数字晶体管( NPN + NPN ) [dual digital transistors (NPN+ NPN)]
分类和应用: 晶体数字晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 302 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
   
UMH14N
双数字晶体管( NPN + NPN )
SOT-363
特点
两DTC144T芯片封装。
1
标记: H14
等效电路
绝对最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
价值
50
50
5
100
150
150
-55~+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性(Ta = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流传输口粮
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输入阻抗
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
R
1
TEST
条件
50
50
5
500
500
100
600
0.3
250
32.9
61.1
V
兆赫
KΩ
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
I
C
= 50μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 50μA ,我
C
=0
V
CB
= 50V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=1mA
I
C
= 5毫安,我
B
=0.5mA
V
CE
= 10V ,我
C
= 5毫安中,f = 100MHz的
1
金隅
半导体
www.htsemi.com
日期:2011年/ 05