XP151A13COMR
20V N沟道增强型MOSFET
VDS = 20V
RDS ( ON ) , V GS @ 4.5V ,IDS @
3.6A
RDS ( ON ) , V GS @ 2.5V ,IDS @ 2.0A
85m
Ω
115m
Ω
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
包装尺寸
D
G
SOT-23(PACKAGE)
S
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0°
10°
最大额定值和热特性( TA = 25℃除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1)
最大功率耗散
2)
符号
极限
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
TA = 25
o
TA = 75
o
C
2)
20
±8
2.3
8
1.25
0.8
-55到150
100
166
o
V
A
P
D
T
J
, T
英镑
R
thJA
W
o
工作结存储温度范围
结至环境热阻(PCB安装)
C
结至环境热阻(PCB安装)
3)
C / W
笔记
1)
脉冲宽度有限的最高结温。
2)
表面安装在FR4板,T
v
5秒。
3)
表面安装在FR4板。
1
金隅
半导体
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D�½��½��½�:2011/05