汕头华汕电子器件有限公司
PNP
SILICON
TRANSISTOR
1015
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：A035BJ-01
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：350×350µm
2
焊�½�尺寸：B 极
12150µm
2
，E 极
16180µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：2SA1015，H1015
（封装�½�式：TO-92）
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
stg
——贮存温度………………………………………
-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率……………………………………400mW
V
CBO
——集电极—基极电压…………………………………-50V
V
CEO
——集电极—发射极电压………………………………-50V
V
EBO
——发射极—基极电压……………………………………-5V
I
C
——集电极电流…………………………………………-150mA
█ 管芯示意图
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-92）
参数符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
f
T
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值 单 �½�
-0.1
-0.1
70
25
700
-0.3
-1.1
-50
-50
-5
80
V
V
V
V
V
MHz
µA
µA
测
试
条
件
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
特征频率
V
CB
=-50V，I
E
=0
V
EB
=-5V，I
C
=0
V
CE
=-6V，I
C
=-2mA
V
CE
=-6V，I
C
=-150mA
I
C
=-100mA，
B
=-10mA
I
I
C
=-100mA，
B
=-10mA
I
I
C
=-100µA，I
E
=0
I
C
=-1mA，I
B
=0
I
E
=-10µA，I
C
=0
V
CE
=-10V，I
C
=-1mA
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