汕头华汕电子器件有限公司
PNP
SILICON
TRANSISTOR
649A
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：A080BJ-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：800×800µm
2
焊�½�尺寸：B 极
124×124µm
2
；E 极
221×110µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：2SB649A，HS649A，H649A
（TO-126、TO-126ML）
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
stg
——贮存温度…………………………………-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散（T
c
=25℃）………………… 20W
P
C
——集电极功率耗散（T
A
=25℃）……………………1W
V
CBO
——集电极—基极电压…………………………-180V
V
CEO
——集电极—发射极电压………………………-160V
V
EBO
——发射极—基极电压……………………………-5V
I
C
——集电极电流………………………………………-1.5A
█ 管芯示意图
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（TO-126、TO-126ML）
参数符号
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
f
T
C
ob
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值
-180
-160
-5
60
30
-10
300
-1
-1.5
140
27
单�½�
V
V
V
µA
测
试
条
件
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极电压
特征频率
共基极输出电容
V
V
I
C
=-1mA，I
E
=0
I
C
=-10mA，I
B
=0
I
E
=-1mA，I
C
=0
V
CB
=-160V，I
E
=0
V
CE
=-5V，I
C
=-150mA
V
CE
=-5V，I
C
=-500mA
I
C
=-500mA，I
B
=-50mA
V
CE
=-5V，I
C
=-150mA
MHz V
CE
=-5V，I
C
=-150mA
pF V
CB
=-10V,I
E
=0，f=1MHz
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