汕头华汕电子器件有限公司
PNP
SILICON
TRANSISTOR
B834
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：A150AG-01
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：1500×1500µm
2
焊�½�尺寸：B 极
290×450µm
2
；E 极
285×450µm
2
电极金属：铝
背面金属：银
典型封装：2SB834，HB834
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-220）
T
stg
——贮存温度………………………………���
-55~150℃
T
j
——结温………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率…………………………………30W
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………
-60V
V
CEO
——集电极—发射极电压…………………………
-60V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………-7V
I
C
——集电极电流…………………………………………
-3A
I
B
——基极电流…………………………………………
-0.3A
（封装�½�式：TO-220）
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
I
CBO
I
EBO
BV
CEO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
t
ON
t
STG
t
F
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值 单 �½�
-100
-100
-60
60
20
-0.5
-0.7
-9
-150
0.4
1.7
0.5
300
-1
-1
V
V
MHz
pF
µs
µs
µs
µA
µA
测
试
条
件
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
集电极—发射极击穿电压
直流电流增益
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极导通电压
特征频率
共基极输出电容
导通时间
�½½流子贮存时间
下降时间
V
CB
=-60V，I
E
=0
V
EB
=-7V，I
C
=0
I
C
=-50mA，I
B
=0
V
CE
=-5V，I
C
=-0.5A
V
CE
=-5V，I
C
=-3A
I
C
=-3A，I
B
=-0.3A
V
CE
=-5V，I
C
=-0.5A
V
CE
=-5V，I
C
=-0.5A
V
CB
=-10V，I
E
=0，
f=1.0 MHz
V
CE
=-30V，I
C
=-2A
-I
B1
=I
B2
=0.2A
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