汕头华汕电子器件有限公司
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
BC848
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C035BJ-01
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：350×350µm
2
焊�½�尺寸：B 极
12150µm
2
，E 极
16180µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：BC848
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：SOT-23）
T
stg
——贮存温度…………………………………－55~150℃
T
j
——结温………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率………………………………250mW
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………30V
V
CEO
——集电极—发射极电压…………………………30V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………5V
I
C
——集电极电流……………………………………100mA
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：SOT-23）
参数符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
f
T
符
号
说 明
最小值 典型值 最大值
0.1
0.1
1000
0.5
1.0
单�½�
µ
A
µ
A
V
V
V
V
V
MHz
测
试
条
件
集电极— 基极截止电流
发射极— 基极截止电流
直流电流增益
集电极— 发射极饱和电压
基极— 发射极饱和电压
集电极— 基极击穿电压
集电极— 发射极击穿电压
发射极— 基极击穿电压
特征频率
V
CB
=30V，I
E
=0
V
EB
=5V，I
C
=0
V
CE
=5V，I
C
=2mA
I
C
=100mA
，I
B
=5mA
I
C
=100mA
，I
B
=5mA
I
C
=100µA
，I
E
=0
I
C
=1mA，I
B
=0
I
E
=100µA
，I
C
=0
V
CE
=5V，I
C
=10mA
100
30
30
5
100
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