汕头华汕电子器件有限公司
NPN
SILICON
TRANSISTOR
965
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C105BJ-01
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：1050×1050µm
2
焊�½�尺寸：B 极
280×345µm
2
；E 极
275×415µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：2SD965，HD965
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-92）
T
stg
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率…………………………………0.75W
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………
40V
V
CEO
——集电极—发射极电压…………………………
20V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………6V
I
C
——集电极电流…………………………………………
5A
（封装�½�式：TO-92）
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
I
CBO
I
EBO
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
h
FE
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值
50
50
40
20
6
300
150
150
150
50
950
单�½�
nA
nA
V
V
V
测
试
条
件
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极电压
直流电流增益
V
CB
=30V，I
E
=0
V
EB
=6V，I
C
=0
I
C
=1mA，I
E
=0
I
C
=1mA，I
B
=0
I
E
=10u A，I
C
=0
V
CE
(sat)
f
T
C
ob
集电极—发射极饱和电压
特征频率
共基极输出电容
0.35
V
CE
=2V，I
C
=0.5A
V
CE
=2V，I
C
=2A
V
CE
=2V，I
C
=0.15A
V I
C
=3A，I
B
=0.1A
MHz V
CB
=6V，I
E
=50mA
pF V
CB
=20V，
E
=0，
I
f=1MHz
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