汕头华汕电子器件有限公司
NPN
SILICON
TRANSISTOR
13003
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：D180BG-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：1800×1800µm
2
焊�½�尺寸：B 极
320×320µm
2
，E 极
200×300µm
2
电极金属：铝
背面金属：银
典型封装：KSE13003，HE13003
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-126/220）
T
stg
——贮存温度…………………………………………
-65~150℃
T
j
——结温………………………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散
c
=25℃）
（T
………………………………
40W
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………………
700V
V
CEO
——集电极—发射极电压…………………………………
400V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………………9V
I
C
——集电极电流（DC）………………………………………
1.5A
IB——基极电流………………………………………… 0.75A
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-126/220）
参数符号
BV
CEO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
符 号 说 明
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
最小值 典型值 最大值 单 �½�
400
V
10
µA
10
40
5
0.5
V
1
V
3
V
1
V
1.2
V
5
MHz
1.1
4.0
0.7
µS
µS
µS
测 试 条 件
I
C
=5mA，I
B
=0
V
EB
=9V，I
C
=0
V
CE
=5V，I
C
=0.5A
V
CE
=2V，I
C
=1A
I
C
=0.5A，I
B
=0.1A
I
C
=1A，I
B
=0.25A
I
C
=1.5A，I
B
=0.5A
I
C
=0.5A，I
B
=0.1A
I
C
=1A，I
B
=0.25A
V
CE
=10V，I
C
=0.1A,
f=1MHz
Vcc=125V，Ic=1A
I
B1
=-I
B2
=0.2A
R
L
=125Ω
V
BE
(sat)
f
T
t
ON
t
STG
t
F
基极—发射极饱和压降
特征频率
导通时间
贮存时间
下降时间
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
