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D343AG-00 参数 Datasheet PDF下载

D343AG-00图片预览
型号: D343AG-00
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 26 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司
NPN
SILICON
TRANSISTOR
13007
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:D343AG-00
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:3430×3430µm
2
焊�½�尺寸:B 极
870×475µm
2
;E 极
1080×480µm
2
电极金属:铝
背面金属:银
典型封装:KSE13007,HE13007
█ 管芯示意图
█ 极限值
(T
a
=25℃)
(封装�½�式:TO-220)
T
stg
——贮存温度……………………………………
-55~150℃
T
j
——结温…………………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散(T
c
=25℃)……………………… 80W
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………
700V
V
CEO
——集电极—发射极电压……………………………
400V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………………………
9V
I
C
——集电极电流(DC)……………………………………
8A
I
C
——集电极电流(脉冲)…………………………………
12A
I
B
——基极电流…………………………………………………4A
█ 电参数
(T
a
=25℃)
(封装�½�式:TO-220)
参数符号
BV
CEO
(sus)
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
说 明
最小值 典型值 最大值 单 �½�
400
10
5
1
40
30
1
2
3
1.2
1.6
110
4
1.6
3
0.7
V
mA
集电极—发射极维持电压
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
I
C
=10mA,I
B
=0
V
EB
=9V,I
C
=0
V
CE
=5V,I
C
=2A
V
CE
=5V,I
C
=5A
I
C
=2A,I
B
=0.4A
I
C
=5A,I
B
=1A
I
C
=8A,I
B
=2A
I
C
=2A,I
B
=0.4A
I
C
=5A,I
B
=1A
V
CB
=10V,f=0.1MHz
V
CE
=10V,I
C
=0.5A
V
CC
=125V,
C
=5A,
I
I
B1
=-I
B2
=1A
V
BE
(sat)
C
ob
f
T
t
ON
t
STG
t
F
基极—发射极饱和电压
共基极输出电容
特征频率
导通时间
�½½流子贮存时间
下降时间
V
v
V
V
V
pF
MHz
µs
µs
µs