汕头华汕电子器件有限公司
NPN
SILICON
TRANSISTOR
5027
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:D360AG-00
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:3600×3600µm
2
焊�½�尺寸:B 极
475×730µm
2
;E 极
480×900µm
2
电极金属:铝
背面金属:银
典型封装:KSC5027,HC5027
█ 管芯示意图
█ 极限值
(T
a
=25℃)
(封装�½�式:TO-220)
T
stg
——贮存温度……………………………………
-55~150℃
T
j
——结温…………………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散(T
c
=25℃)……………………… 50W
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………
1100V
V
CEO
——集电极—发射极电压……………………………
800V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………………………
7V
I
C
——集电极电流(DC)……………………………………
3A
I
C
——集电极电流(脉冲)…………………………………
10A
I
B
——基极电流………………………………………………1.5A
█ 电参数
(T
a
=25℃)
(封装�½�式:TO-220)
参数符号
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
EBO
I
CBO
h
FE
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值 单 �½�
800
1100
7
10
10
10
8
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极饱和压降
特征频率
15
2
1.5
V
V
MHz
40
V
V
V
uA
uA
测试条件
I
C
=5mA,I
B
=0
I
C
=1mA,I
E
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CB
=800V,I
E
=0
V
CE
=5V,I
C
=0.2A
V
CE
=5V,I
C
=1A
I
C
=1.5A,I
B
=0.3A
I
C
=1.5A,I
B
=0.3A
V
CE
=10V,I
C
=0.2A
集电极—发射极击穿电压
集电极—基极击穿电压
发射极—基极击穿电压
发射极—基极截止电流
集电极—基极截止电流
直流电流增益