汕头华汕电子器件有限公司
NPN
SILICON
TRANSISTOR
13009A
晶�½�管芯片
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：D400AG-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：4000×4000µm
2
焊�½�尺寸： 极
783×1100µm
2
， 极
754×1276µm
2
B
E
电极金属：铝
背面金属：钒-镍-银
典型封装：KSH13009
（封装�½�式：TO-220）
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
stg
——贮存温度………………………………… -65~150℃
T
j
——结温………………………………………………
150℃
P
C
——集电极耗散功率（T
c
=25℃）………………… 100W
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………
700V
V
CEO
——集电极—发射极电压…………………………
400V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………………………9V
I
C
——集电极电流（DC）…………………………………12A
I
B
——基极电流………………………………………………6A
█ 管芯示意图
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-220）
参数符号
BV
CEO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
符 号 说 明
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
最小值 典型值 最大值 单 �½�
400
V
1
mA
10
40
6
30
1
V
1.5
V
3
V
1.2
V
1.6
V
180
pF
4
MHz
1.1
µS
3.0
µS
0.7
µS
测 试 条 件
I
C
=10mA，I
B
=0
V
EB
=9V，I
C
=0
V
CE
=5V，I
C
=5A
V
CE
=5V，I
C
=8A
I
C
=5A，I
B
=1A
I
C
=8A，I
B
=1.6A
I
C
=12A，I
B
=3A
I
C
=5A，I
B
=1A
I
C
=8A，I
B
=1.6A
V
CB
=10V，f=0.1MHz
V
CE
=10V，I
C
=0.5A
V
CC
=125V，I
C
=8A
I
B1
=-I
B2
=1.6A
V
BE
(sat)
C
ob
f
T
t
ON
t
STG
t
F
基极—发射极饱和压降
共基极输出电容
特征频率
导通时间
贮存时间
下降时间
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