汕头华汕电子器件有限公司
PNP
硅
晶体管
9012
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：A043BJ-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：430×430µm
2
焊�½�尺寸：B 极
107×107µm
2
，E 极
101×101µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：SS9012，H9012，8550S
（封装�½�式：TO-92）
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
英镑
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率………………………………625mW
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………-40V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压…………………………-20V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………-5V
I
C
——集电极电流……………………………………-500mA
（封装�½�式：TO-92）
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值
-0.1
-0.1
390
-0.6
-1.2
-0.73
单�½�
µA
µA
测
试
条
件
█ 管芯示意图
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
基极—发射极导通电压
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
80
40
-0.6
-40
-20
-5
V
V
V
V
V
V
V
CB
=-25V，I
E
=0
V
EB
=-3V，I
C
=0
V
CE
=-1V，I
C
=-50mA
V
CE
=-1V，I
C
=-500mA
I
C
=-500mA，I
B
=-50mA
I
C
=-500mA，I
B
=-50mA
V
CE
=-1V，I
C
=-10mA
I
C
=-100µA，I
E
=0
I
C
=-1mA，I
B
=0
I
E
=-100µA，I
C
=0
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