汕头华汕电子器件有限公司
PNP
硅
晶体管
1020
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：A080BJ-02
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：800×800µm
2
焊�½�尺寸：B 极
124×124µm
2
；E 极
221×110µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：2SA1020
（TO-92L）
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
英镑
——贮存温度…………………………………-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散（T
a
=25℃）…………………900mW
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………-50V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压…………………………-50V
V
EBO
——发射极—基极电压……………………………-5V
I
C
——集电极电流………………………………………-2A
I
B
——基极电流…………………………………………-0.5A
█ 管芯示意图
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（TO-92L）
参数符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
ob
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值
-50
-50
-5
-1
-1
240
-0.5
-1.2
100
40
单�½�
V
V
V
µA
µA
测
试
条
件
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
特征频率
共基极输出电容
70
40
I
C
=-1A，I
B
=-50mA
兆赫V
CE
=-2V，I
C
=-500mA
pF的V
CB
=-10V,I
E
=0，f=1MHz
V
V
I
C
=-100µA，I
E
=0
I
C
=-10mA，I
B
=0
I
E
=-100µA，I
C
=0
V
CB
=-50V，I
E
=0
V
EB
=-5V，I
C
=0
V
CE
=-2V，I
C
=-500mA
V
CE
=-2V，I
C
=-1.5A
I
C
=-1A，I
B
=-50mA
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