汕头华汕电子器件有限公司
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647A
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:A080BJ-04
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:800×
800µm
2
焊�½�尺寸:B 极
124×
124µm
2
;E 极
221×
110µm
2
电极金属:铝
背面金属:金
典型封装:2SB647A,H647A
█ 管芯示意图
█ 极限值
(T
a
=25℃)
(TO-92L)
T
英镑
——贮存温度…………………………………-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散(
T
A
=25℃)……………………0.9W
V
CBO
——集电极—基极电压…………………………-120V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压………………………-100V
V
EBO
——发射极—基极电压……………………………-5V
I
C
——集电极电流…………………………………………-1A
█ 电参数
(T
a
=25℃)
(TO-92L)
参数符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
f
T
C
ob
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值
-120
-100
-5
60
30
-10
300
-1
-1.5
140
20
单�½�
V
V
V
µ
A
测
试
条
件
集电极— 基极击穿电压
集电极— 发射极击穿电压
发射极— 基极击穿电压
集电极— 基极截止电流
直流电流增益
集电极— 发射极饱和电压
基极— 发射极电压
特征频率
共基极输出电容
I
C
=-10µ
A,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-10µ
A,I
C
=0
V
CB
=-100V,I
E
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-150mA
V
CE
=-5V,I
C
=-500mA
V
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
V
V
CE
=-5V,I
C
=-150mA
兆赫V
CE
=-5V,I
C
=-150mA
pF的V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz