汕头华汕电子器件有限公司
PNP
硅
晶体管
TIP32C
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：A126AG-02
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：1260×1260µm
2
焊�½�尺寸：B 极
308×308µm
2
；E 极
308×385µm
2
电极金属：铝
背面金属：银
典型封装：TIP32C，HP32C
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-220）
T
英镑
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温………………………………………………150℃
P
C
——集电极功率耗散
c
=25℃）
（T
………………………
40W
P
C
——集电极功率耗散
a
=25℃）
（T
………………………
2W
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………-100V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压…………………………-100V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………-5V
I
C
——集电极电流
（DC）的
……………………………………-3A
I
C
——集电极电流(脉冲)…………………………………-5A
I
B
——基极电流……………………………………………-1A
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-220）
参数符号
BV
首席执行官
（ SUS）的
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
符
号
说 明
最小值 典型值 最大值 单 �½�
-100
-0.3
-200
-1
25
10
50
-1.2
-1.8
V
mA
µA
mA
测
试
条
件
集电极—发射极维持电压
*
集电极—发射极截止电流
集电极—发射极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
*
集电极—发射极饱和电压
*
基极—发射极导通电压
*
特征频率
3.0
V
V
兆赫
I
C
=-30mA，I
B
=0
V
CE
=-60V，I
B
=0
V
CE
=-100V，V
EB
=0,
V
EB
=-5V，I
C
=0
V
CE
=-4V，I
C
=-1A
V
CE
=-4V，I
C
=-3A
I
C
=-3A，I
B
=-375mA
V
CE
=4V，I
C
=-3A
V
CE
=--10V，I
C
=-0.5A，
f=1MHz
*
脉冲测试：脉�½≤300µs，占空比≤2%。
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
