汕头华汕电子器件有限公司
PNP
硅
TRAN S ISTO ř
940
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：A126AG-03
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：1260×1260µm
2
焊�½�尺寸：B 极
308×308µm
2
；E 极
308×385µm
2
电极金属：铝
背面金属：银
典型封装：KSA940，HA940
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-220）
T
英镑
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温………………………………………………150℃
P
C
——集电极功率耗散
c
=25℃）
（T
………………………
25W
P
C
——集电极功率耗散
a
=25℃）
（T
………………………1.5W
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………-150V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压…………………………-150V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………-5V
（DC）的
…………………………………-1.5A
I
C
——集电极电流
I
B
——基极电流…………………………………………-0.5A
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-220）
参数符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
符
号
说 明
最小值 典型值 最大值 单 �½�
-150
-150
-5
-10
-10
40
-0.65
4
55
75
-0.75
140
-1
-0.85
V
V
兆赫
pF
V
V
V
µA
µA
测
试
条
件
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极导通电压
特征频率
共基极输出电容
I
C
=-500µA，I
E
=0
I
C
=-10mA，I
B
=0
I
E
=-500µA，I
C
=0
V
CB
=-120V，I
E
=0
V
EB
=-5V，I
C
=0
V
CE
=-10V，
C
=-500mA
I
I
C
=-500mA，
B
=-50mA
I
V
CE
=-10V，
C
=-500mA
I
V
CE
=-10V，
C
=-500mA
I
V
CB
=-10V，I
E
=0,
f=1.0MHz
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