汕头华汕电子器件有限公司
NPN
硅
晶体管
5551
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C043BJ-01
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：430×430µm
2
焊�½�尺寸：B 极
107×107µm
2
，E 极
101×101µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：2N5551，H5551
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-92）
T
英镑
——贮存温度……………………………………
-55~150℃
T
j
——结温…………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率…………………………………625mW
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………180V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压……………………………160V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………………………6V
I
C
——集电极电流…………………………………………600mA
（封装�½�式：TO-92）
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值 单 �½�
0.05
0.05
80
80
30
280
0.15
0.2
1
1
180
160
6
100
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
µA
µA
测
试
条
件
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
f
T
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
特征频率
300
V
CB
=120V，I
E
=0
V
EB
=4V，I
C
=0
V
CE
=5V，I
C
=1mA
V
CE
=5V，I
C
=10mA
V
CE
=5V，I
C
=50mA
I
C
=10mA，I
B
=1mA
I
C
=50mA，I
B
=5mA
I
C
=10mA，I
B
=1mA
I
C
=50mA，I
B
=5mA
I
C
=100µA，I
E
=0
I
C
=1mA，I
B
=0
I
E
=10µA，I
C
=0
V
CE
=10V，I
C
=10mA
f=100MHz
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