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C060AJ-00 参数 Datasheet PDF下载

C060AJ-00图片预览
型号: C060AJ-00
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 25 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司
NPN
晶体管
8050
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:C060AJ-00
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:600×600µm
2
焊�½�尺寸:B 极
130×150µm
2
;E 极
140×130µm
2
电极金属:铝
背面金属:金
典型封装���S8050,H8050
█ 管芯示意图
█ 极限值
(T
a
=25℃)
(封装�½�式:TO-92)
T
英镑
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率……………………………………1W
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………40V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压……………………………25V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………6V
I
C
——集电极电流…………………………………………1.2A
█ 电参数
(T
a
=25℃)
(封装�½�式:TO-92)
参数符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
(上)
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
f
T
最小值 典型值 最大值 单 �½�
0.1
0.1
500
1.0
0.5
1.2
40
25
6
100
µA
µA
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
基极—发射极导通电压
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
特征频率
85
40
V
V
V
V
V
V
兆赫
V
CB
=35V,I
E
=0
V
EB
=6V,I
C
=0
V
CE
=1V,I
C
=100mA
V
CE
=1V,I
C
=800mA
V
CE
=1V,I
C
=10mA
I
C
=800mA,I
B
=80mA
I
C
=800mA,I
B
=80mA
I
C
=100µA,I
E
=0
I
C
=2mA,I
B
=0
I
E
=100µA,I
C
=0
V
CE
=10V,I
C
=50mA