汕头华汕电子器件有限公司
NPN
硅
晶体管
M28S
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C060AJ-01
芯片厚度：240±20µm
管芯尺���：600×600µm
2
焊�½�尺寸：B 极
130×150µm
2
；E 极
140×130µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：M28S，HM28S
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-92）
T
英镑
——贮存温度……………………………………-55~150℃
T
j
——结温…………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率…………………………………850mW
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………40V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压……………………………20V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………………………6V
I
C
——集电极电流…………………………………………1.25A
（封装�½�式：TO-92）
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
h
FE
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值 单 �½�
40
20
6
300
300
300
300
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
CES
I
EBO
f
T
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
集电极—基极截止电流
集电极—发射极截止电流
发射极—基极电流
特征频率
0.55
1.2
100
100
100
100
V
V
nA
nA
nA
兆赫
V
V
V
1000
测
试
条
件
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
直流电流增益
I
C
=100µA，I
E
=0
I
C
=1mA，I
B
=0
I
E
=100µA，I
C
=0
V
CE
=1V，I
C
=1mA
V
CE
=1V，I
C
=100mA
V
CE
=1V，I
C
=300mA
V
CE
=1V，I
C
=500mA
I
C
=600mA，I
B
=20mA
I
C
=600mA，I
B
=20mA
V
CB
=35V，I
E
=0
V
CE
=20V，V
BE
=0
V
EB
=6V，I
C
=0
V
CE
=5V，I
C
=50mA
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