汕头华汕电子器件有限公司
NPN
硅
晶体管
128M
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C060AJ-02
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：600×600µm
2
焊�½�尺寸：B 极
130×150µm
2
；E 极
140×130µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：STC128M，H128M
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-92S）
T
英镑
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率………………………………400mW
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………20V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压……………………………15V
V
EBO
——发射极—基极电压……………………………6.5V
I
C
——集电极电流…………………………………………1.5A
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-92S）
参数符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
f
T
C
ob
R
ON
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值
20
15
6.5
0.1
0.1
150
0.2
260
5
0.6
0.3
单�½�
V
V
V
µA
µA
测
试
条
件
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
特征频率
共基极输出电容
通态电阻
I
C
=50µA，I
E
=0
I
C
=1mA，I
B
=0
I
E
=50µA，I
C
=0
V
CB
=20V，I
E
=0
V
EB
=6V，I
C
=0
V
CE
=1V，I
C
=100mA
V
I
C
=500mA，I
B
=50mA
兆赫V
CE
=5V，I
C
=50mA
Pf
V
CB
=10V，
E
=0，
I
f=1MHz
Ω
V
IN
=0.3V，I
B
=1mA，
f=1KHz
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