汕头华汕电子器件有限公司
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
3279
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C075AJ-01
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：750×
750µm
2
焊�½�尺寸：B 极
165×
170µm
2
；E 极
150×
165µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：２ＳＣ３２７９
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（TO-92）
T
英镑
——贮存温度…………………………………－55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散（T
a
=25℃）…………………750mW
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………30V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压…………………………10V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………… ………6V
I
C
——集电极电流………………………………………2A
I
B
——基极电流………………………………………0.2
A
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（TO-92）
参数符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值
30
10
6
0.1
0.1
600
0.82
1.5
150
27
单�½�
V
V
V
µ
A
µ
A
测
试
条
件
集电极— 基极击穿电压
集电极— 发射极击穿电压
发射极— 基极击穿电压
集电极— 基极截止电流
发射极— 基极截止电流
直流电流增益
集电极— 发射极饱和电压
基极— 发射极饱和电压
特征频率
共基极输出电容
140
70
I
C
=1mA，I
E
=0
I
C
=10mA，I
B
=0
I
E
=1mA，I
C
=0
V
CB
=30V，I
E
=0
V
EB
=6V，I
C
=0
V
CE
=1V，I
C
=500mA
V
CE
=1V，I
C
=2A
V
I
C
=2A，I
B
=50mA
V
V
CE
=1V，I
C
=2A
兆赫V
CE
=1V，I
C
=500mA
pF的V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
