汕头华汕电子器件有限公司
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667A
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C080BJ-04
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：800×
800µm
2
焊�½�尺寸：B 极
124×
124µm
2
；E 极
221×
110µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：２ＳＤ６６７Ａ，Ｈ６６７Ａ
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（TO-92L）
T
英镑
——贮存温度…………………………………－55~150℃
T
j
——结温………………………………………………150℃
P
C
——集电极功率耗散（
T
A
=25℃）……………………0.9W
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………120V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压…………………………100V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………5V
I
C
——集电极电流…………………………………………1A
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（TO-92L）
参数符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值
120
100
5
60
30
10
300
1
1.5
140
12
单�½�
V
V
V
µ
A
测
试
条
件
集电极— 基极击穿电压
集电极— 发射极击穿电压
发射极— 基极击穿电压
集电极— 基极截止电流
直流电流增益
集电极— 发射极饱和电压
基极— 发射极电压
特征频率
共基极输出电容
I
C
=10µ
A，I
E
=0
I
C
=1mA，I
B
=0
I
E
=10µ
A，I
C
=0
V
CB
=100V，I
E
=0
V
CE
=5V，I
C
=150mA
V
CE
=5V，I
C
=500mA
V
I
C
=500mA
，I
B
=50mA
V
V
CE
=5V，I
C
=150mA
兆赫V
CE
=5V，I
C
=150mA
pF的V
CB
=10V，
E
=0，
I
f=1MHz
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