汕头华汕电子器件有限公司
NPN
硅
晶体管
2328S
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C089BJ-01
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：890×890µm
2
焊�½�尺寸：B 极
150×150µm
2
；E 极
153×153µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：KSC2328A，H2328S
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-92）
T
英镑
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率…………………………………0.75W
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………
30V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压…………………………
30V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………5V
I
C
——集电极电流…………………………………………
2A
（封装�½�式：TO-92）
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值
30
30
5
100
100
320
2
1
120
30
单�½�
V
V
V
nA
nA
测
试
条
件
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极导通电压
特征频率
共基极输出电容
100
I
C
=100µA，I
E
=0
I
C
=10mA，I
B
=0
I
E
=1mA，I
C
=0
V
CB
=30V，I
E
=0
V
EB
=5V，I
C
=0
V
CE
=2V，I
C
=500mA
V
I
C
=1.5A，I
B
=30mA
V
V
CE
=2V，I
C
=500mA
兆赫V
CE
=2V，I
C
=500mA
pF
V
CB
= 10V ，我
E
=0，
f=1MHz
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
