汕头华汕电子器件有限公司
NPN
硅
晶体管
A42
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:D072AJ-00
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:720×720µm
2
焊�½�尺寸:B 极
95×95µm
2
;E 极
100×100µm
2
电极金属:铝
背面金属:金
典型封装:
MPSA42,HA42
█ 管芯示意图
█ 极限值
(T
a
=25℃)
(封装�½�式:TO-92)
T
英镑
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温…………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率…………………………………625mW
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………300V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压……………………………300V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………………………5V
I
C
——集电极电流………………………………………500mA
(封装�½�式:TO-92)
█ 电参数
(T
a
=25℃)
参数符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
h
FE
符
号
说 明
最小值 典型值 最大值
300
300
6
100
100
1
25
40
40
300
0.5
1.0
0.9
50
V
V
V
兆赫
单�½�
V
V
V
nA
nA
µA
测
试
条
件
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
集电极—发射极截止电流
直流电流增益
I
C
=100µA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100µA,I
C
=0
V
CB
= 200V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
CE
=300V, V
BE
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=1mA
V
CE
= 10V ,我
C
=10mA
V
CE
= 10V ,我
C
=30mA
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA
I
C
= 60毫安,我
B
=6mA
I
C
=20mA,I
B
=2mA
V
CE
= 20V ,我
C
=10mA,
f=100MHz
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
集电极—发射极饱和电压
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
特征频率