汕头华汕电子器件有限公司
NPN
硅
晶体管
13005
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：D283AG-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：2830×2830µm
2
焊�½�尺寸： 极
1200×420µm
2
， 极
1140×540µm
2
B
E
电极金属：铝
背面金属：银
典型封装：KSE13005，HE13005
（封装�½�式：TO-220）
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
英镑
——贮存温度……………………………………
-55~150℃
T
j
——结温…………………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散（T
c
=25℃）……………………… 75W
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………
700V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压……………………………
400V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………………………
9V
I
C
- 集电极电流（ DC ） ..........................................
4A
I
C
——集电极电流（脉冲）…………………………………
8A
I
B
——基极电流…………………………………………………2A
█ 管芯示意图
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-220）
参数符号
BV
首席执行官
（ SUS）的
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
符
号
说 明
最小值 典型值 最大值 单 �½�
400
10
8
1
40
40
0.5
0.6
1
1.2
1.6
65
4
0.8
4
0.9
V
mA
测
试
条
件
集电极—发射极维持电压
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
*
V
BE
（SAT）
C
ob
f
T
t
ON
t
英镑
t
F
基极—发射极饱和电压
*
共基极输出电容
特征频率
导通时间
�½½流子贮存时间
下降时间
V
v
V
V
V
pF
兆赫
µs
µs
µs
I
C
=10mA，I
B
=0
V
EB
=9V，I
C
=0
V
CE
=5V，I
C
=1A
V
CE
=5V，I
C
=2A
I
C
=1A，I
B
=0.2A
I
C
=2A，I
B
=0.5A
I
C
=4A，I
B
=1A
I
C
=1A，I
B
=0.2A
I
C
=2A，I
B
=0.5A
V
CB
=10V，f=0.1MHz
V
CE
=10V，I
C
=0.5A
V
CC
=125V，I
C
=2A,
I
B1
=-I
B2
=0.4A
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