PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
█
应用
音频功率Aamplifier&中
高速开关低频功率放大器。
H1116
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………750mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-60V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-50V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………-6V
I
C
--Collector
Current……………………………………………-1A
I
CP
--Collector
Current（Pulse）…………………………………-2A
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
－６０
－５０
－６
１３５
８１
７０
－１００
－１００
６００
Ｖ
Ｖ
Ｖ
�½�Ａ
�½�Ａ
Ｖ
Ｖ
�½�Ｖ
�½�Ｆ
Ｉ
Ｃ
＝－１０μＡ，Ｉ
Ｅ
＝０
Ｉ
Ｃ
＝－１�½�Ａ，Ｉ
Ｂ
＝０
Ｉ
Ｅ
＝－１０μＡ，Ｉ
Ｃ
＝０
Ｖ
ＣＢ
＝－６０Ｖ， Ｉ
Ｅ
＝０
Ｖ
ＥＢ
＝－５Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝０
Ｖ
ＣＥ
＝－２Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝－１００�½�Ａ
Ｖ
ＣＥ
＝－２Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝－１Ａ
Ｉ
Ｃ
＝－１Ａ， Ｉ
Ｂ
＝－５０�½�Ａ
Ｉ
Ｃ
＝－１Ａ， Ｉ
Ｂ
＝－５０�½�Ａ
Ｖ
ＣＥ
＝－２Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝－５０�½�Ａ
Ｖ
ＣＢ
＝－１０Ｖ，Ｉ
Ｅ
＝０，�½�＝１ＭＨ�½�
辐射源
截止电流
H
FE（1）
直流电流增益
H
FE（2）
直流电流增益
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
V
BE（上）
f
T
COB
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
－０．２ －０．３
－０．９ －１．２
１２０
２５
－６００ －６５０ －７００
ＭＨ�½� Ｖ
ＣＥ
＝－２Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝－１００�½�Ａ
█
h
FE
分类
Ｙ
Ｇ
Ｌ
135—270
200—400
300—600
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
