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H1246 参数 Datasheet PDF下载

H1246图片预览
型号: H1246
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 202 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø
汕头华汕电子器件有限公司。
H1246
电源供应器,继电器驱动器,
灯驱动器,电气设备
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………750mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………30V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………25V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………6V
I
C
--Collector
当前作.......................................... 2A
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
I
CBO
I
EBO
f
T
COB
*脉冲
30
25
6
100
65
130
0.18
0.85
0.4
1.2
100
100
150
19
560
V
V
V
I
C
= 10μA ,我
E
=0
I
C
=1mA,
I
B
=0
I
E
=10μA,I
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=100mA
V
CE
= 2V ,我
C
=1.5A *
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
V
V
nA
nA
兆赫
pF
I
C
= 1.5A ,我
B
= 75毫安*
I
C
= 1.5A ,我
B
= 75毫安*
V
CB
= 20V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=50mA
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MHz
辐射源
截止电流
电流增益带宽积
输出电容
h
FE
分类
R
100—200
S
140—280
T
200—400
U
280—560