欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

H1268 参数 Datasheet PDF下载

H1268图片预览
型号: H1268
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 107 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
PNP S I L I C 0 NT· RA ñ S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H1268
低噪声放大器应用。
高电压应用
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………300mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-120V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-120V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current……………………………………-100mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
COB
-120
-100
-100
200
-0.65
100
4.0
6
700
-0.3
V
nA
nA
V
V
兆赫
pF
I
C
=-1mA,
I
B
=0
V
CB
= -120V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -6V ,我
C
=-2mA
I
C
= -10mA ,我
B
=-1mA
I
C
= -6A ,我
B
=-2mA
V
CE
= -6V ,我
C
=-1mA
V
CB
= -10V ,我
E
=0,f=1MHz
V
CE
= -6V ,我
C
=-100μA,
f=10Hz,Rg=10KΩ
V
CE
= -6V ,我
C
=-100μA,
f=1Hz,Rg=10KΩ
V
CE
= -6V ,我
C
=-100μA,
f=1Hz,Rg=100KΩ
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
电流增益带宽积
输出电容
NF
噪声系数
3
2
dB
h
FE
分类
GR
200—400
BL
350—700