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H13002 参数 Datasheet PDF下载

H13002图片预览
型号: H13002
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 117 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H13002
█高压开关模式APPLICICATIONS
高速开关
适用于开关稳压器和Montor控制
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-65 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation………………………………���30W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………600V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………400V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………9V
I
C
--Collector
Current……………………………………1.5A
1―Base,B
2
-collector ,C
3
发射器,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE ( SAT )
I
CBO
I
EBO
f
T
t
ON
t
英镑
t
F
600
400
9
10
40
0.8
0.8
1.2
10
10
8
1.1
4.0
0.7
V
V
V
V
V
V
μA
μA
兆赫
μs
μs
μs
I
C
= 1mA时,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
= 1mA时,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=0.1A
I
C
= 1A ,我
B
=500mA
I
C
= 0.5A ,我
B
=100mA
I
C
= 0.5A ,我
B
=100mA
V
CB
= 500V ,我
E
=0
V
EB
= 9V ,我
C
=0
V
CE
=10V,I
C
=0.1A,f=1MHz
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极 - 基极截止电流
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 125V ,我
C
=1A,
I
B1
=0.2A,I
B2
=-0.2A
R
L
=125Ω
h
FE
分类
H1
10-16
H2
14-21
H3
19-26
H4
24-31
H5
29-40