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H1357 参数 Datasheet PDF下载

H1357图片预览
型号: H1357
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 178 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号H1357的Datasheet PDF文件第2页  
汕头华汕电子器件有限公司。
P N P S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
H1357
应用
。音频功率Amplifie 。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 10W
P
C
--Collector
耗散
A
=25℃)
(T
……………………
1.5W
V
CBO
--Collector -基地
电压.............................. -35V
V
首席执行官
--Collector发射极
...........................电压-20V
V
EBO
--Emitter -基地
电压.................................... -8V
I
C
--Collector
当前
(脉冲)
………………………………
-8A
I
C
--Collector
直流(DC) .................................... -5A
IB - 基极电流................................................... -1A
1―Emitter,E
2―Collector,C
3―Base,B
TO-126ML
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
COB
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
电流增益带宽积
输出电容
-20
-100
-100
140
70
-1
-1.5
170
62
600
V
nA
nA
I
C
= -10mA ,我
B
=0
V
CB
= -35V ,我
E
=0
V
EB
= -8V ,我
C
=0
V
CE
= -2V ,我
C
=-0.5A
V
CE
= -2V ,我
C
=-4A
V
V
兆赫
pF
I
C
= -4A ,我
B
=-0.1A
V
CE
= -2V ,我
C
=-4A
V
CE
=-2V,I
C
=-500mA
V
CB
= -10V ,我
E
=0,f=1MHz
脉冲测试: PW = 10毫秒(最大值) ,占空比= 30 % (分钟)
h
FE
分类
Y
140—240
GR
200—400
BL
300—600