欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

H1426 参数 Datasheet PDF下载

H1426图片预览
型号: H1426
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 243 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
PN P S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
的DC- DC转换
H1426
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………750mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-20V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage���…………………………-20V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………-6V
I
C
--Collector
目前.................................
………-3
A
I
C
--Collector
Current……………………………………300mA
I
B
内部BASE
Current……………………………………………-200mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
 
V
CE ( SAT )
 
f
T
COB
-20 
-20 
-6 
 
 
82 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
240 
35 
 
 
 
V 
V 
V 
I
C
=-50μA,
I
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0 
I
E
=-10μA,I
C
=0
-0.1  μA 
V
CB
= -20V ,我
E
=0
-0.1  μA 
V
EB
= -5V ,我
C
=0
390 
 
V
CE
= -2V ,我
C
=-100mA 
-0.5 
 
 
I
C
= -2A ,我
B
=-100mA
 
V
CE
= -2V ,我
C
=-500mA,
MH�½� 
f=100MH�½�
�½�F 
V
CB
= -10V ,我
E
=0,f=1MH�½�
V 
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
h
FE
分类
P
 
            
 
82—180 
 
 
 
Q
120—270   
 
R
180—390