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H1740 参数 Datasheet PDF下载

H1740图片预览
型号: H1740
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 243 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号H1740的Datasheet PDF文件第2页  
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
中等种子交换
H1740
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………300mW
V
CBO
--Collector -基地
V
oltage………………………………50V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………40V
V
E B Ø
② :辐射源
基极电压连续.................................... 5V
I
C
--Collector
当前
……………………………………
100mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3-基地,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极截止电流
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
I
CBO
I
EBO
H
FE
 
V
CE ( SAT )
 
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
f
T
COB
 
 
120 
 
50 
40 
5 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
180 
1.2 
500 
500 
820 
0.4 
 
 
 
 
 
�½�A 
V
CB
= 30V ,我
E
=0
�½�A 
V
EB
= 4V ,我
C
=0
 
V 
V 
V 
V 
V
CE
= 1V ,我
C
=1mA 
I
C
= 50mA时我
B
=5mA 
I
C
=50μA,
I
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0 
I
E
=50μA,I
C
=0
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
电流增益带宽积
MH�½� 
V
CE
= 12V,我
C
=2mA
�½�F 
V
CB
= 6V ,我
E
=0,f=1MHz
输出电容
h
FE
分类
Q
R
S
E
 
 
 
 
 
 
 
120—270   
    180—390        270—560       390—820