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H1836 参数 Datasheet PDF下载

H1836图片预览
型号: H1836
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 103 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H1836
用于高电压放大器的应用
等离子显示器,数码管驱动器应用。
彩电录像机输出的应用。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………625mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………300V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………300V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………6V
I
C
--Collector
Current……………………………………100mA
I
C
--Collector
Current……………………………………300mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Base,B
3―Collector,
C
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(1)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
COB
300
300
0.1
0.1
20
30
150
0.5
1.2
50
80
3
4
V
V
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
μA
V
CB
= 300V ,我
E
=0
μA
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=1mA
V
CE
= 10V ,我
C
=20mA
V
V
pF
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA
V
CB
= 20V ,我
E
=0,f=1MHz
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
兆赫
V
CE
= 10V ,我
C
=20mA
输出电容