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H2120 参数 Datasheet PDF下载

H2120图片预览
型号: H2120
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 165 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号H2120的Datasheet PDF文件第2页  
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H2120
应用
音频功率放大器的应用
.
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………600mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………35V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………30V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current……………………………………800mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE
I
CBO
I
EBO
f
T
COB
35
30
5
100
35
0.5
0.5
0.8
100
100
120
13
320
V
V
V
I
C
=0.1mA,
I
C
=10mA,
I
E
=0
I
B
=0
I
E
=0.1mA,I
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA
V
CE
= 1V ,我
C
=700mA
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
V
V
nA
nA
兆赫
pF
I
C
= 500毫安,我
B
=20mA
V
CE
= 1V ,我
C
=10mA
V
CB
= 35V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MHz
辐射源
截止电流
电流增益带宽积
输出电容
h
FE
分类
O
100—200
Y
160—320