欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

H2216 参数 Datasheet PDF下载

H2216图片预览
型号: H2216
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 180 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号H2216的Datasheet PDF文件第2页浏览型号H2216的Datasheet PDF文件第3页  
N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H2216
应用
电视最后的画面IF放大器应用。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Juncttion
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………300mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………50V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………45V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………4V
I
C
--Collector
Current…………………………………………50mA
IE浏览器 - 发射极电流................................................ -50mA
1―Base,B
2―Emitter,E
3―Collector,
C
TO-92
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
基地 - 发射极饱和电压
输出Capacacitance
电流增益带宽积
功率增益(图)
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
BE ( SAT )
COB
f
T
GPE
50
45
4
0.1
0.1
40
140
0.2
1.5
0.8
300
29
36
2.0
V
V
V
μA
μA
V
V
pF
兆赫
dB
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CB
= 30V ,我
E
=0
V
EB
= 3V ,我
C
=0
V
CE
= 12.5V ,我
C
=12.5mA
I
C
= 15毫安,我
B
=1.5mA
I
C
=15mA,I
B
=1.5mA
V
CB
=10V,I
E
=0,f=30MHz
V
CE
= 12.5V ,我
C
=12.5mA
VCC = 12.5V ,我
E
=-12.5mA,
f=45MHz
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压